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巨磁电阻效应和应用实验报告.doc

 点击:次  发布日期:2020-01-22 19:54    发布人:admin

      2原理__在某些通有电流的物体上强加特定强度的磁场时,其电阻会发生变,这种磁致电阻变的象称为磁电阻效应。

      硬盘的容量从4GB提拔到了600GB或更高。

      鉴于恒流源本身不许供负向电流,当电流减至0后,互换恒流出口接线的极性,使电流反向。

      鉴于磁头是由多层不一样资料薄膜结成的构造,所以只要在巨磁阻效应仍然起功能的尺度范畴内,将来将能进一步压缩硬盘体积,增高硬盘容量。

      普通层为非磁性资料薄膜层,将两层磁性资料薄膜层分隔开。

      图3是图2构造的某种GMR资料的磁阻属性。

      即若电流方位平于膜面,鉴于无规散射,电子也有特定的概率在内外两层铁磁膜之间信马由缰。

      现已誉为现代永磁王。

      当铁磁层的磁矩互相平常,载流子与自旋关于的散射最小,资料有最小的电阻。

      皮特-葛伦伯格是德本国人,1939年出生于德国比尔森,1969年在德国达姆施塔特工业大学获博士学位,自1972年起在德国于利希钻研核心属下一钻研所执教。

      在,巨磁电阻效应及其使用【试验鹄的】1、理解GMR效应的原理2、测GMR仿效传感器的磁电变换属性曲线3、测GMR的磁阻属性曲线4、用GMR传感器测电流5、用GMR梯度传感器测牙轮的角位移,理解GMR转速(速)传感器的原理【试验原理】依据导电的微观机理,电子在导电时并不是沿电场直线迈进,而是不止和晶格中的原子发生碰撞(别称散射),历次散射后电子都会变更移动方位,总的移动是电场对电子的定向加快与这种无规散射移动的增大。

      在一定环境下,电阻率减小的幅面一定大,比平常磁性五金与合金资料的磁电阻值约高10余倍,这一象称为巨磁阻效应。

      1956年,IBM的学家ReynoldJohnson说明了世地方个计算机硬盘。

      人们早就懂得过渡五金铁、钴、镍能现出铁磁性有序态。

      方不可少交或多交货物。

      相邻稀土原子的相距深远于4f电子壳层直径,因而稀土五金中的传电子担负了中介人,将相邻的稀土原子磁矩耦合兴起,这即RKKY型转弯抹角互换功能。

      法国和德国的情理学家在‘铁鉻铁’构造中发觉了巨磁电阻效应以后,IBM的钻研员斯图尔特·帕金(StuartParkin)1989年在其他资料上也发觉了雷同的效应。

      巨磁电阻效应是何所谓巨磁电阻效应是指资料的电阻率在有外磁场功能时较之无外磁场功能时在昭著变的象。

      巨磁电阻效应是何所谓巨磁电阻效应是指资料的电阻率在有外磁场功能时较之无外磁场功能时在昭著变的象。

      其一,界面上的散射。

      其内外两层为铁磁资料,中夹层好坏铁磁资料。

      采用资料的巨磁电阻效应,研制出了新一类磁电阻传感器—GMR传感器。

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